[학부 과정] 전자회로 9주차
2023. 4. 26. 12:45ㆍ학부 과정/전자회로
외부에 전원이 가해지지 않는 상태에서 p-type silicon과 n-type silicon을 접합시키면 depletion region이 발생한다. 전기가 형성되서 더이상 확산이 이루어지지고 않고, drift current와 diffusion current가 같아지면서 평형 상태를 이룬다.
The Junction bulit in Voltage
p-type에서 hole의 농도값을 p-type에서 electronic의 농도 값을 나눈 값으로 전압을 결정한다. 보통 p-n junction은 다이오드로 많이 쓰이고 여기 내부에서 built in potential 이 생기고, 보통 0.7V를 만들어진다. 그래서 0.7V를 이상을 전압을 가해줘야 여기 내부에서 이미 농도차이에 의해서 voltage가 만들어졌기 때문에 voltage값보다 더 큰 값을 가해줘야 전류가 흐른다.
Depletion Region 에서 width와 전하량을 알아보자.
ion이 원자가 eletric을 잃거나 얻은 상태를 말한다. 이온화된 전하량의 얼마냐라는 것을 계산하려면 체적 * 전하량 * 농도이다. -와+에서의 면적은 같다.
'학부 과정 > 전자회로' 카테고리의 다른 글
[학부 과정] 전자 회로 op-amp [7] (0) | 2023.03.29 |
---|---|
[학부 과정] 전자 회로 op-amp [6] (0) | 2023.03.29 |
[학부 과정] 전자 회로 op-amp[5] (0) | 2023.03.29 |
[학부 과정] 전자회로 op-amp [4] (0) | 2023.03.28 |
[학부 과정] 전자회로 op-amp[3] (0) | 2023.03.28 |